Samsung: chipset a 5 nm nel secondo trimestre 2020

A quanto pare, Samsung prevede di avviare la produzione in serie di chipset a 5 nm nel secondo trimestre 2020: ecco tutti i rumor.

Samsung: chipset a 5 nm nel secondo trimestre 2020
E T
Elena Tocci
Pubblicato il 29 apr 2020

Samsung, il secondo produttore al mondo di processori dopo TSMC (Taiwan Semiconductor Manufacturing Company), ha annunciato che avvierà la realizzazione di chipset con processo produttivo a 5 nm nel 2020.

Samsung: chipset a 5 nm nel 2020

Il colosso sudcoreano, che ha già avviato la produzione in serie di chipset EUV (Extreme Ultraviolet) a 6 nm e 7 nm, avvierà nel secondo trimestre 2020 la fabbricazione di massa di processori a 5 nm.

Stando ai rumor, pare che Google abbia stretto una partnership con Samsung per la produzione di un chipset Exynos personalizzato, il cui rilascio è previsto per quest’anno. Il processore il questione sarebbe appunto realizzato con processo produttivo a 5 nm e dovrebbe presentare una CPU octa-core – composta da due core Cortex-A78, due core Cortex-A76, quattro core Cortex-A55 – e, per la grafica, una GPU Mali MP20. Pare che il chipset includerà anche l’ISP e l’NPU Visual Core di Google, anziché quelli di Samsung.

Samsung ha anche riferito che continuerà ad investire nello studio di processi avanzati e GAA 3nm. Stando all’indiscrezione in nostro possesso, la produzione di questi chipset si svolgerà nella struttura Samsung V1 situata a Hwaseong, in Corea del Sud. Questa struttura è specializzata nella tecnologia d’avanguardia ed è in grado di produrre chipset fino a 3 nm.

Samsung avrebbe dovuto iniziare la produzione di chipset a 3 nm dal 2021, ma pare che, a causa di una forza maggiore, abbia dovuto rimandare l’avvio al 2022. Il processo a 3nm di Samsung si basa sulla tecnologia Gate All Around (GAAFET), che dovrebbe ridurre la dimensione totale del silicio del 35% e consumare circa il 50% in meno di energia. Inoltre, questo tipo di processore, che in futuro vedremo all’interno dei dispositivi mobili più avanzati, dovrebbe assicurare un consumo energetico e un aumento delle prestazioni del 33% rispetto al processo FinFET a 5 nm.

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